晶片突破的極限在哪裡,1nm之後呢?
5奈米工藝便是矽晶片的一個技術分水嶺,這時候環繞式柵極電晶體,即GAA FET技術成為新的選擇,不同於Fin FET GAA FET的溝道被柵機極四面包圍,溝道電流比三面包裹的Fin FET更加順暢,能進一步改善對電流的控制,從而最佳化柵極...
5奈米工藝便是矽晶片的一個技術分水嶺,這時候環繞式柵極電晶體,即GAA FET技術成為新的選擇,不同於Fin FET GAA FET的溝道被柵機極四面包圍,溝道電流比三面包裹的Fin FET更加順暢,能進一步改善對電流的控制,從而最佳化柵極...
北京大學孫偉教授和廈門大學朱志教授研究團隊發表了《DNA定向納米制備高效能碳奈米管場效應電晶體》的研究成果,以DNA模板法制備的平行CNT陣列作為模型系統,開發了一種先固定後沖洗(rinsing-after-fixing)的方法將基於CNT...
碳基半導體是一種在碳基奈米材料的基礎上發展出的,以碳奈米管,碳奈米纖維,奈米碳球、石墨烯等為主的材料,主要利用碳奈米管、富勒烯、石墨烯等特殊結構實現電晶體功能...
2018 年,高三的 Sam Zeloof 在車庫裡製造了自己的第一代 Z1 晶片,該晶片只包含 6 個電晶體,屬於一塊純粹的製程與裝置測試晶片...
相信隨著3nm的量產,以及2nm進入商業化階段,1nm製程的研發會逐步成熟,當下的這些實驗室級研究,預估將有不少會落地到晶圓廠,同時,還將會有更新的工藝和材料技術誕生...
近日,在舊金山舉行的 2021 IEEE 國際電子裝置會議 (IEDM 2021) 上,來自英特爾、斯坦福和臺積電的研究人員針對製造 2D 電晶體最棘手的障礙之一提出了單獨的解決方案:在半導體與金屬接觸的地方有尖銳的電阻尖峰...
近日,復旦大學的周鵬教授為我們帶來了好訊息,目前,他們已經驗證3到5奈米領域的重要技術——GAA電晶體技術,中國晶片邁出了一大步,讓人們從迷霧中看到了希望的光...
MOSFET的發明貢獻者及發明年份圖8...
在如今人們應用最為廣泛的計算機架構中,電晶體透過開和關兩種狀態表示數字 0 和 1,用光開關代替傳統電晶體的光計算機理論上可以比普通計算機執行更快,因為在常規條件下光子傳播速度比電子要快很多倍...
完成這個CPU的同時,學習了CPU的體系架構以及電路的基本原理,還有那難能可貴的實踐能力...
紫光展銳也推出了新一代5G SoC——虎賁T7520,它最大的優勢就是首發臺積電最先進的6nm+EUV,成本、效能、功耗更加平衡,相比初代7nm電晶體密度提高18%,晶片功耗降低8%...
然而,在更小的裝置中,用於開啟和關閉電晶體的金屬門之間的介面,在電子流經後會不可避免的表面氧化,並且其他表面汙染物會導致透過通道的電子意外散射,並導致量子器件特別成問題的不穩定和噪音...
而新開發出的計算裝置模仿人腦的的神經突觸設計“突觸電晶體”,它可以像人類大腦一樣可以同時處理和儲存資訊,研究人員證明了該電晶體可以模仿人腦突觸的短期和長期可塑性,可以在記憶的基礎上不斷學習...
3,中國晶片產業迎來重大機遇,有望佔據未來技術和商業化制高點摩爾定律自1965年被戈登摩爾發明以來,一直作為半導體積體電路行業發展的指路明燈,引領全球半導體產業朝著更低的成本、更強的效能、更高的經濟效益的目標前進...
事實上,這個2nm晶片上的電晶體,並不存在任何一個部分的長度是2nm...
每個晶片製造工廠要貢獻出30億美元的利潤才能避免出現虧損,全行業只有總收入達到1880億美元的英特爾、三星以及臺積電三家公司有能力建設更多工廠...
1999年,胡正明教授帶領自己團隊發明了「FinFET電晶體技術」,成功解決了當時困擾整個半導體界的電晶體漏電問題...
劉德音不僅透露了臺積電先進3nm工藝的研發進度提前,而且討論了包括EUV、新電晶體、新材料、晶片封裝、小晶片、系統架構等一系列通向未來的突破性半導體技術...
索尼現在的辦公大樓這或許就是日本工匠精神的典型體現,對於技術的執著追求,即使是天天跪在地上,做著讓人難以理解的工作,他們卻堅持了下來,笨重的錄音機就這樣橫空出世了,這0到1的突破過程艱難,卻成為了東通工公司的巨大轉折點,正是有了這樣的技術在...
所以我們可以知道:由半導體材料製造出了電晶體,由電晶體組成了晶片...