文 | 月落烏堤
臺積電的相遇
1989年，日立（HITACHI）中央研究實驗室的工程師Digh Hisamoto和另外的三名研究員，在對傳統的平面型電晶體的結構研究改變的過程中，提出了一種全耗盡的側向溝道的解決辦法，稱之為DELTA技術（Depleted Lean-Channel Transistor），利用這一技術，日立發明並製造了一種全新的三維結構MOS電晶體，
但是由於其發展過於先進，加上製作過程過於複雜，很難與現有的矽平面工藝相容，所以沒有在實際工藝技術中普及應用。
DELTA電晶體
不過，DELTA的發明，為後來晶片的載體，提供了一個可供的選擇。
1998年，加州大學伯克利分校胡正明教授在美國國防部高階研究專案局（Defense Advanced Research Projects Agency，DARPA）的資助下，帶著一個團隊，研究CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體）電晶體工藝技術的拓展，
他們的目的是如何將電晶體的密度製程，提高到25nm。
胡正明教授在基於DELTA技術的三維結構MOS電晶體基礎上，進一步提出了自對準的雙柵MOSFET（Double gate structure Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，雙柵金氧半場效電晶體）結構，並於當年製造出來該技術的電晶體，胡正明將之稱為FinFET電晶體（Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鰭式場效應電晶體）。
它的柵長度只有17nm，溝道寬度20nm，鰭（Fin）的高度50nm，這是全球第一個25nm以內的電晶體，胡正明實現了他們的研究目的。
令所有人沒有想到的是，這一技術，成為了引領後來晶體管制造技術的基礎，直到今天。
FinFET電晶體
2000年前後，在晶片製造技術上一直處於領先地位IBM（International Business Machines Corporation，國際商用電器），突破了0。13um的製程工藝，IBM找到臺灣兩大晶片製造巨頭，臺積電與臺聯電，與他們商談0。13um的技術合作。
為了擺脫美國技術的影響，臺積電選擇了“婉拒”，臺聯電選擇了接受。
2001年，臺積電在蔣尚義的鐵血力推下，直接跳過0。15um，從0。18um直接量產0。13um製程。而0。13um製程採用的銅介質，改變了之前以鋁為介質的模式，同時還引入了Low-K Dielectric（低介電質絕緣）技術，0。13um的量產，
讓臺積電從晶片代工第二、晶片製程技術處於追趕的狀態，一躍成為全球第一的代工巨頭，技術上也與IBM/英特爾實現了並駕齊驅。
此時，蔣尚義入職臺積電，不過四年。在臺積電，蔣尚義作為COO，主導了0。25μm、0。18μm、0。13μm、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm及16nm FinFET等關鍵製程工藝節點的研發，
使臺積電的行業地位從技術跟隨者發展為技術引領者。
蔣尚義
相比於蔣尚義，梁孟松在臺積電的時間，比蔣尚義早很多。
1992年，40歲的梁孟松，從AMD儲存器部門離職的梁孟松，接受了臺積電的邀請，前往臺積電任職。
而在此之前，他還有個特別的身份：加州大學柏克萊分校博士，而他的博士生導師，正是胡正明教授，那個發明Fin FET電晶體技術的半導體巨人。
在臺積電，梁孟松是技術總工程師、資深研發處長，是臺積電近五百個專利的發明人，這一資料，遠多於臺積電其他的技術人員；他負責或參與臺積電每一代次製程工藝的最先進技術，是臺積電“新制程裝置遴選委員會”組成成員之一，據說這一組委會成員，不超過10人。
在2003年0.13um“銅製程”一役中，受行政院表彰的臺積電研發團隊中，當時負責先進模組的梁孟松排名第二，貢獻僅次於他的上司，研發副總、COO蔣尚義。
蔣尚義與梁孟松，兩個半導體行業的風雲人物，在張忠謀的號召下，在臺積電相遇。
離職與迴歸
2006年，晚來臺積電五年的蔣尚義第一次從臺積電離開，離開的時候，臺積電剛量產65nm，並投入了重兵突破45nm製程節點，而這個製程節點的主要負責人，就是梁孟松。
蔣尚義表示：
“我相信他（梁孟松）有相當大的期望，我離開時，他（梁孟松）會是其中一個（研發副總）。”
臺積電歷史製程進度
然而梁孟松並沒有等來“研發副總”的職位。
蔣尚義的離職，使臺積電研發副總的位置，空了出來，在外界看來，這應該是梁孟松最好的晉升機會，作為總工程師和技術處長的梁孟松，配得上這個職位，而當時與梁孟松競爭的，也還是後來成為他上司的孫元成。
也許是為了平衡梁孟松與孫元成的關係，以及讓梁孟松帶領的研發團隊不受到外界影響，從而使45nm製程受到影響，
張忠謀選擇了來自於英特爾的技術研發協理羅唯仁代替蔣尚義的位置。
2007年，臺積電45nm製程順利量產，梁孟松居功至偉。
梁孟松
但是，技術的領先沒有帶來梁孟松地位的提升，羅唯仁離職後，與梁孟松競爭這個職位的，依舊是孫元成，
這一次，張忠謀選擇了孫元成，孫元成成了梁孟松的上司，梁孟松成為了權力爭奪的犧牲品。
2009年2月，在蔣尚義離職三年後，依舊沒有等到晉升的梁孟松，選擇從臺積電離職。
而由他主導的28nm製程節點，按照進度在2009年年底2010年年初要量產，隨著他的離職，硬生生地往後推遲到2011年。
蔣尚義的離職，留下的權力爭奪，繼任者被一個外來人代替，梁孟松失之交臂，原本被看好的梁孟松，又被孫元成取而代之。
離職後的蔣尚義，公開資訊沒有過多的報道。
令人意想不到的是，在梁孟松離職的同時，張忠謀對辭職三年的蔣尚義發出了邀請，邀請他回到臺積電，領導研究發展組，而這個組織，是為蔣尚義繼續領導研發部門量身定做的。
從這個角度看，孫元成的勝出，不過是梁孟松出走的導火索而已，真正的原因，大機率是受到“二進宮”的蔣尚義的影響。
而離開臺積電的梁孟松，短暫的在國立清華大學任電機工程學系和電子所教授，對於一個學有所長的技術大牛來說，以技術為驅動，實現抱負才是其人生的真諦，這一理念，在這次從中芯國際的離職信中，同樣有巨大的體現。
一個人的三星，對抗全部的臺積電
半年後，在韓裔妻子的影響下，梁孟松離開國立清華大學，前往韓國。兩個月後，梁孟松公開的身份是：
成均館大學教授。
這是一所三星集團直屬的大學。
他真正任教的地方，卻是三星廠區的三星內部企業培訓大學——三星半導體理工學院（SSIT），而梁孟松所教授的學生，也只有十名而已，但是這十個學生，無一例外，都是三星高階的半導體資深工程師。
2011年7月13日，梁孟松公開宣佈，正式加入三星集團，擔任三星LSI部門技術長，同時也是三星晶圓代工的執行副總。
梁孟松在三星的任職期間的表現，以及三星依靠梁孟松的技術，所獲得的收益，被認為是全球半導體業界教科書級別的成功案例。
當時三星正在處於一個由的28nm製程迭代到20nm製程的過程中，但卻遇到重重困難，進度停擺，其原因是當電晶體的尺寸小於25奈米以下時，傳統的平面場效電晶體（planar field effect transistor/planar FET）的尺寸已經無法縮小，所以須採用鰭式場效應電晶體（Fin FET）以將場效電晶體立體化，而梁孟松恰好是師承Fin FET發明者胡正明的專家。
在三星對此毫無技術經驗，根本無法達成任何突破的情況下，由梁孟松主導，以放棄20nm製程，直接由28nm製程直接跳到14nm製程的研發方案，擺到了三星電子的案頭。
如果以這個方案來操作，意味著三星要跳過20/22nm製程和16/18nm製程，一次完成三代四級跨越，其難度可想而知。
三星賭上公司命運全力支援，終獲成功；在梁孟松及其團隊的努力下，三星14nm製程量產時間節點，比臺積電早了約半年，而且臺積電推出的製程為16nm。
梁孟松幫三星成功以研發出14nm製程的直接結果，就是將蘋果A9處理器的訂單從臺積電搶走，同時還拿下高通的大單，並使臺積電的股價一度大跌，評級遭降。而之前原來獨吞蘋果處理器訂單，但因製程落後而痛失八成蘋果訂單則使臺積電損失10億美元（約314億新臺幣）。
2011年10月，臺積電發起了對梁孟松的訴訟圍剿，與梁孟松一同面對臺積電圍剿的，還是二十餘名與他一起來到三星的舊將，臺積電指控梁孟松自2009年離職，並從該年8月到三星旗下的成均館大學任教以來，
“應已陸續洩漏臺積電公司之營業秘密予三星。”
臺積電向法院請求：
一、不得洩漏其任職臺積電期間所知悉的營業秘密；
二、不得洩漏臺積電研發部門人員的相關資訊予韓國三星電子；
三、禁止梁孟松在2015年12月31日前，以任職或其他方式為三星提供服務。
2015年8月24日，智慧財產法院第二審合議庭，臺積電對梁孟松所提出的三項請求，全部獲判勝訴。
2016年，梁孟松離開三星，而在他之前的2013年，蔣尚義再次從臺積電離職（退休）。
再次相遇
2016年12月，中芯國際釋出公告宣佈，蔣尚義加入中芯國際，出任第三類獨立非執行董事。
在2019年6月，中芯國際公告披露，任期屆滿三年的蔣尚義因個人原因不再連任獨立非執行董事。
一個月後，蔣尚義加入武漢弘芯，擔任CEO。由於種種原因，武漢弘芯在一度停擺，由武漢市東西湖區政府接管，而蔣尚義於2020年11月透過律師發表宣告，其已於2020年6月因個人原因辭去武漢弘芯的董事、總經理及CEO執行長等一切職務。
蔣尚義的律師宣告
2017年10月，在中芯國際與梁孟松長達一年多的反覆接觸和溝通後，梁孟松選擇在與三星的契約結束之後，接受了中芯國際的邀請。
2017年10月16日，中芯國際召開臨時董事會，正式宣佈梁孟松出任中芯國際聯合執行長（Co-CEO）兼執行董事，和5月10日剛剛獲委任為中芯國際執行長的趙海軍一起形成雙執行長的局面，開啟了中芯的雙首長制時代。
中芯國際此番專為安置梁孟松的行政級別，借鑑頗似臺積電曾採用的雙研發副總制度，且其任命令即（16）日生效，足見中芯國際對梁孟松相當重視。
而此一訊息公佈後，中芯股價於當日就高開了4。23%，並於其後近一個月的時間內竟大漲逾20%，足見外界對其的重視與期望。
但是，為了安置梁孟松這麼一尊大神，僅僅一個聯席CEO的位置，人家願意來，已經是“屈尊”了。
更為讓人驚愕的是，中芯國際在12月15日的一則公告，將梁孟松和蔣尚義的位置，再一次推到了前臺。
中芯國際公告
在此之前，蔣尚義的身份是第三類獨立非執行董事，用企業管理的大白話來說，就是個空頭銜，因為這種董事，並不會插手公司的研發及運營管理，也並不屬於擔任聯席CEO的梁孟松的上司，梁孟松也只需要向周子學彙報。
但是，這次蔣尚義迴歸中芯國際，則真的是頂著實權來的：
第二類執行董事、董事會副董事長及戰略委員會成員。
而這個副董事長的位置，比梁孟松還要高，在公告中，說到兩個聯合CEO趙海軍及梁孟松，都要向蔣尚義彙報。
除了頂著實權而來，蔣尚義此番回來，是想要實現其“技術上的理想”，特別是在先進封裝技術與晶片組，認為在中芯國際要實現他的理想會比較容易，相信能在中芯國際實現我在先進封裝和系統整合的夢想。
顯然，蔣尚義將會直接介入到中芯國際的研發當中，而這也正是原本由梁孟松所主導的。
作為迴應，梁孟松選擇了給董事會回函。
梁孟松的辭職函
從函件中，我們清晰的看到，梁孟松來到中芯國際後，取得的成績：
“28nm、14nm、12nm及N+1等技術均已進入規模量產，7nm技術的開發也已經完成，明年四月就可以馬上進入風險量產。5nm和3nm的最關鍵、也是最艱鉅的8大項技術也已經有序展開，只待EUV光刻機的到來，就可以進入全面開發階段”。
而此之前呢，中芯國際根本撐不起他的股價和殷殷期盼。
更為令人震驚的是，這麼高等級的人事任命，竟然沒有知會聯席CEO梁孟松一聲。
梁孟松表示，在12月9號早上，接獲董事長電話告知：蔣先生即將出任公司副董事長一職。
“對此，我感到十分錯愕與不解，因為我事前對此事毫無所悉。我深深的感到已經不再被尊重與不被信任。我覺得，你們應該不再需要我在此繼續為公司的前景打拼奮鬥了。我可以暫時安心地休息片刻。”
聯絡到2011年中芯國際的內鬥，時任CTO楊士寧與CEO王寧國爆發衝突，最終兩人都離開了中芯國際，導致中芯國際進入到了長達五年的動盪期。
而聯想到現階段國際貿易的大背景，此番人事調整，很有可能成為又一個動盪的導火索。
而梁孟松所說的一句話，最為打動人：
“我來中國大陸本來就不是為了謀取高官厚祿，只是單純的想為大陸的高階積體電路盡一份心力。”
說實話，看到這份公開的薪酬表之後，梁孟松說他來大陸不是為了錢而來的，我是相信的，哪怕很多人會說，他還有期權，還有股份，還有這還有那，但是不要忘記，他對中芯國際的技術及做出的貢獻。
一些雜念
在臺灣地區，大部分民眾普遍對梁孟松極度不滿、痛恨，斥責其為“叛徒”、“叛將”、“半導體呂布”、及“現代版三姓家奴”，
對於一個博士、技術天才，一個心高氣傲的科學家來說，揹負這樣的罵名，對於我們來說，是不可想象的。
如果不是一股對於技術的信仰，對於理想的實現，以及對於技術追求的深層次的觀念，在現代社會，不會有人充當這樣的一個角色。
對於中國的半導體行業，對於正在追趕中的中芯國際來說，權謀解決不了發展。
2011年的內鬥，皆因以大唐電信為主的董事會、股東與臺系研發技術為主的技術團隊，出現了不可調和的矛盾而爆發，爆發之後，由邱慈雲接手才趨於緩和，但是最終雙方的代表人物都被迫離開。
對於一家上市公司來說，管理層變動是家常便飯，但是不合理的變動，則會被解讀為“內鬥”。
比如這次的蔣尚義回宮，梁孟松可能出現的出走，搞不好臺系的技術團隊都會出現大面積離職潮。
2017年10月，加入中芯國際時，梁孟松從三星帶走了多位臺籍和韓籍工程師到中芯，但其最依重的隨他從臺積電跳槽至三星的六人卻只有黃國泰一人到中芯，其餘五人均婉拒梁孟松之邀：侯永田任職格芯新加坡廠；陳建良也一度轉任職格芯，後轉赴臺灣聯電；萬文愷任職聯發科的研發部門；鄭鈞隆傳出任職美商半導體公司；夏勁秋則擔任了中國大陸新成立的雲芯國際積體電路製造有限公司董事。
而中國半導體行業的發展，幾乎每一個半導體公司，都離不開臺系的技術人員，無論大小。
這些人在中國半導體公司中的作用，大到一個人、一個團隊往往會影響一個團隊，一個公司，甚至一個產業。
而恰好梁孟松就是這樣的人才，從離開臺積電後的發展看，蔣尚義明顯不如梁孟松那樣耀眼和煥發活力。
最為主要的是，蔣尚義答應張忠謀，不做會傷害臺積電的事，“包括不會幫中芯挖角臺積的現有員工，也不會建議中芯做針對臺積不利的事，我會記得並遵守這個承諾。”
那麼，對於立志要做中國版臺積電的中芯國際來說，蔣尚義到來的意義是什麼呢？
現階段而言，蔣尚義的加盟，已經是板上釘釘的事情，至於梁孟松的出走，想到2009年的毅然決然，和前往三星後的意氣風發，以及來到中芯國際後的奮力直追，梁孟松給人的想象更大。
希望梁孟松，不要再成為大唐系股東權力鬥爭的犧牲品，中國需要這樣的技術國寶，中國半導體行業的發展，權謀帶不來。
梁孟松說：中芯國際正面臨著美國的種種打壓，導致先進工藝的發展受到嚴重威脅，“我認為，今天這個人事提案必然會關係到公司的前景”。
這是告誡，也是威脅。
