第三代半導體產業正處於熱火朝天，臺積電近期是毫不掩飾對該領域的濃厚興趣，並於 9 月 7 日在 SEMICON TAIWAN 線上論壇中公開對氮化鎵（GaN）領域的觀察和佈局。
臺積電研發資深處長段孝勤在論壇中提到，臺積電在化合物半導體領域專注在氮化鎵相關技術開發，看好未來十年將有更多應用會採用氮化鎵技術，其中五大領域：快充、資料中心、太陽能電力轉換器、48V DC/DC，以及電動車OBC/轉換器更是氮化鎵可以大展身手的舞臺。
今年初，業界就傳出臺積電開始增加氮化鎵機臺裝置的採購數量十多臺，估計增加產能上萬片，推測是有重要客戶顯著增加下單量。
臺積電在氮化鎵領域的客戶包括意法半導體（ST）、愛爾蘭納微半導體 Navitas 等。
納微半導體 Navitas 是愛爾蘭新創公司，成立於 2014 年，擁有一支功率半導體技術專家團隊，優勢在整合氮化鎵、驅動、控制器與保護元件並提供軟體，可縮小快充充電器的體積與降低設計成本。
納微半導體 Navitas 共同創辦人兼營運長、技術長 Dan Kinzer 也在今日 SEMICON TAIWAN 線上論壇中提到，
納微半導體截至 8 月，氮化鎵晶片出貨超過 2500 萬片，且零故障回報，已有許多一線品牌大廠和終端產品加速採用。
納微半導體 Navitas 專有的氮化鎵 GaN 工藝設計套件（PDK）是基於臺積電 GaN-on-Si 平臺開發。
氮化鎵 GaN 的最大優勢是執行速度比矽晶片快 100 倍，可實現節能 40% 和提升 3 倍的功率密度。其 GaNFast 功率 IC 是將氮化鎵功率器件與數模混合的控制電路整合在一起，傳出打入小米、OPPO、聯想、戴爾等品牌大廠。
同時，也傳出納微打入蘋果供應鏈，提供基於氮化鎵技術的快充解決方案，並由臺積電代工生產。
納微半導體表示，估計到 2026 年氮化鎵 GaN 潛在市場規模上看逾 130 億美元，較 2020 年 90 億美元大幅成長。其中，氮化鎵GaN IC充電的滲透率將從 2020 年的 0.3%，估計到2026年可達到 15.9%，年複合成長率高達 117%。
段孝勤也在論壇中提到，臺積電一直投入資源在功率相關的製程工藝技術上，朝降低能耗的目標前進，包括進入 5G 通訊，使用在電源管理晶片上的 BCD 工藝。
目前行動裝置的 BCD 工藝技術已經到 0。13 微米，並正在開發 90nm/55nm/40nm/22nm BCD工藝。
車用方面的工藝部分已經發展到 0.18 微米第二代 BCD 和 0.13 微米的 BCD 工藝，同時也在開發最高 SOI 可達 100 V 的 55 BCD工藝。另外，在非易失性儲存器 NVM 在電源管理晶片的應用上，臺積電也有 MRAM 的 28nm/22nm 工藝技術。
臺積電在去年初曾與意法半導體共同宣佈要加速氮化鎵技術的開發，並將分離式與整合式氮化鎵元件匯入市場。
結合臺積電的氮化鎵生產技術，以及意法半導體的產品設計與汽車級驗證能力，可支援工業及汽車功率轉換應用，大幅提升節能效益，並加速汽車電氣化。
