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CASICON 2021
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2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，半導體產業網、第三代半導體產業主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化矽、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。
屆時，南京大學副研究員徐尉宗將受邀出席峰會，並分享題為“面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術”的主題報告。
基於AlGaN/GaN異質結介面二維電子氣製備的GaN HEMT器件，兼具高電流密度、高耐壓和高開關頻率優勢，是新一代功率電子器件的優選方案。為簡化柵極驅動設計，以及滿足器件失效安全，增強型GaN HEMT器件是基礎。目前商用增強型GaN HEMT器件主要有兩種，一種是基於p-GaN帽層結構溝道調控技術的增強型器件，一種是基於Si基增強型MOSFET的級聯型器件。相比於級聯型器件，p型帽層結構器件擁有更低的EMI、更小的動態開關損耗，以及更優的功率品質因子。目前狀態下，柵壓擺幅限制下的器件可靠性與能效已成為p型帽層結構增強型GaN HEMT器件所面臨的關鍵問題。
報告將從p-GaN帽層增強型器件柵壓擺幅受限的物理機制分析出發，結合新型柵極結構方案設計與實驗驗證，包括反向pn結帽層結構、極化摻雜p型帽層結構等，系統討論柵極設計對器件可靠性及動態損耗的影響規律，總結出潛在的面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術。此外，本篇報告還將結合報告人所在團隊在GaN功率二極體方面的研究成果，總結介紹GaN功率二極體在可靠性與能效方面的關鍵問題與研究現狀。
【嘉賓簡介】
徐尉宗，博士，南京大學電子科學與工程學院副研究員。分別於2012年、2017年在南京大學物理學院、電子科學與工程學院獲學士、博士學位。從事寬禁帶半導體材料與器件研究，主要研究方向：GaN基功率電子器件、寬禁帶半導體基光電子器件。在國內外重要學術期刊上發表論文40餘篇，其中以第一作者/通訊作者在IEEE EDL/TPE， Nano Letters等國際知名期刊上發表學術論文19篇，主持國家及省部級專案4項。
欲知詳細最新研究進展與資料成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。
更多會議最新資料請往下檢視：
2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會
2021年9月13-14日 南京·城市名人酒店
【組織機構】
指導單位
南京大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
主辦單位
半導體產業網
第三代半導體產業 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
贊助支援單位
藍雨軟體技術開發（上海）有限公司
愛發科商貿（上海）有限公司
寧波恆普真空技術有限公司
蘇州晶湛半導體有限公司
青島聚能創芯微電子有限公司
德儀國際貿易（上海）有限公司
大族鐳射顯示與半導體裝備事業部
上海翱晶半導體科技有限公司
上海智湖資訊科技有限公司
蕪湖啟迪半導體有限公司
湖南國芯半導體科技有限公司
【會議安排】
【嘉賓&報告】
（向上滑動啟閱）
1、9月13日報告（陸續更新中）
嘉賓：
於坤山——第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長
報告：
中國功率與射頻技術市場現狀及未來展望
嘉賓：
陳堂勝——中國電科首席科學家/微波毫米波單片整合和模組電路重點實驗室主任
報告：
低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
嘉賓：
陳敦軍——南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
報告：
GaN功率開關器件及其高頻電源應用
嘉賓：
劉斯揚——東南大學教授
報告：
SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
嘉賓：
龍世兵——中國科學技術大學微電子學院執行院長
報告：
低成本高效能氧化鎵半導體功率器件
嘉賓：
Dr Simon Li——Founding director， Crosslight Software Inc and GaNPower Intl。 Inc
報告：
Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
嘉賓：
戴小平-湖南國芯科技總經理
報告：
淺析SiC模組封裝技術
嘉賓：
Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理研究員
報告：
1。2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
嘉賓：
龔平——西安唐晶量子科技有限公司董事長
報告：
6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術
嘉賓：
紐應喜——啟迪半導體研發總監
報告：
碳化矽外延裝備及技術進展
嘉賓：
張 雲——天津大學電氣自動化與資訊工程學院教授
報告：
新能源汽車電力電子系統及其執行控制
2、9月14日報告（陸續更新中）
嘉賓：
程新紅——中科院上海微系統研究所研究員
報告：
SOI基GaN材料及功率器件整合技術
嘉賓：
鄧小川——電子科技大學教授
報告：
極端應力下碳化矽功率MOSFET的動態可靠性研究
嘉賓：
張之梁——南京航空航天大學 教授
報告：
1kV寬禁帶LLC變換器控制與應用
嘉賓：
惠 峰——雲南鍺業公司首席科學家/中科院半導體所研究員
報告：
VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研製及應用
嘉賓：
陳 鵬——南京大學教授
報告：
GaN肖特基功率器件新進展
嘉賓：
Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
報告：
Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
嘉賓：
倪煒江——安徽芯塔電子科技有限公司 總經理
報告：
高效能高壓碳化矽功率器件設計與技術
嘉賓：
李 強——西安交通大學副教授
報告：
基於HBN 的射頻器件
嘉賓：
吳 彤——安森美首席SiC 專家
報告：
Adopt of SiC devices in EV applications
嘉賓：
吳 亮——奧趨光電CEO
報告：
AlN/AlScN材料製備技術及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望
嘉賓：
張保平——廈門大學電子科學與技術學院 副院長、教授
報告：
氮化鎵基VCSEL技術進展
嘉賓：
蔚 翠——中電科第十三研究所研究員
報告：
金剛石微波功率器件研究
嘉賓：
左 超——愛發科商貿（上海）有限公司電子營業部部長
報告：
量產高效能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術
嘉賓：
裴軼/Amgad Alsman——蘇州能訊高能半導體有限公司技術副總裁/中國科學技術大學
報告：
基於物理的5G射頻GaN 電晶體模型、趨勢和挑戰
嘉賓：
王祁玉——益豐電子副總經理
報告：
射頻器件（TBD）
嘉賓：
袁 理——青島聚能創芯微電子有限公司
報告：
面向快充應用的GaN材料和器件技術
嘉賓：
劉 雯——西交利物浦大學副教授
報告：
矽基GaN MIS-HEMT 單片整合技術
嘉賓：
黃潤華——中電科五十五所副主任設計師
報告：
碳化矽MOSFET技術問題及55所產品開發進展
嘉賓：
英諾賽科科技股份有限公司
報告：
八英寸矽基氮化鎵技術進展（TBD）
嘉賓：
葉建東——南京大學教授
報告：
氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究
嘉賓：
彭 燕——南砂晶圓研發中心主任，山東大學副教授
報告：
碳化矽與金剛石單晶襯底技術與產業化研究
嘉賓：
葉念慈——三安整合技術市場總監
報告：
（TBD）
嘉賓：
童吉楚——乾照鐳射副總經理
報告：
VCSEL 技術 （TBD）
嘉賓：
向鵬博士——蘇州晶湛半導體有限公司研發經理
報告：
用於新型GaN功率器件的外延技術進展
嘉賓：
楊學林——北京大學物理學院高階工程師
報告：
Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展
嘉賓：
Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
報告：
Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
嘉賓：
徐尉宗——南京大學研究員
報告：
面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術
嘉賓：
郭宇鋒——南京郵電大學副校長、教授
報告：
Off-state Characterization of AlGaN/GaN HEMT via Artificial Neural Network
嘉賓：
樊嘉傑——復旦大學青年研究員
報告：
SiC功率器件先進封裝材料及可靠性最佳化設計
更多報告嘉賓正在確認中！！！
擬參與單位：
華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、雲南鍺業、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網、中芯整合、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所、西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學、電子科技大學、河北同光、山東天嶽、天津大學、聚能創芯、賽微電子、南京百識、唐晶量子、天科合達、漢驊半導體、大族鐳射、德儀、蘇三代半研究院、芯塔電子等
參會註冊 ：
註冊費 2000 元（會議資料，招待晚宴，自助餐）
開戶行：
中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：
336 356 029 261
名 稱：
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
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協議酒店：
防疫提示：
會務組最新諮詢南京市衛健委並得到答覆，目前南京市全域均為低風險區，進出南京不需要核酸檢測證明，只要14天內未曾去過中高風險區和出入境經歷，體溫無異常情況下，均可持綠碼進出南京參加會議。
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