【嘉勤點評】長電科技的整合封裝專利，透過將第一模組和第二模組進行堆疊，可解決目前整合封裝結構需要進一步高密度、小型化、多維化、多需求排佈設計的需求。
集微網訊息，在儲存晶片領域，長電科技擁有近20年的成品製造量產經驗。近日長電科技透過提供高密度晶片系統整合技術平臺，能夠滿足更小尺寸、更高整合度的Flash產品需求。
為滿足多頻率和多頻寬的應用，異質整合封裝結構需要進一步高密度、小型化、多維化。封裝結構中存在高度較高的大尺寸封裝器件，一種是大數值電感器件、QFN、LGA或BGA等等，同時還會存在對應力較為敏感的濾波器等空腔元件；此外，包含各類晶片的模組元件一般面積與體積也較大，因而整合封裝結構需要進行合理排布，以滿足各種器件需求並提高整體整合度。
為此，長電科技於2019年9月25日申請了一項名為“整合封裝結構”的發明專利（申請號： 201910909470。2），申請人為江蘇長電科技股份有限公司。
圖1 整合封裝結構示意圖
圖1為本發明提出的整合封裝結構的示意圖，包括主基板2、第一模組11、第二模組12、空腔元件14及大尺寸器件15，其中主基板包括相對設定的主基板第一表面21與主基板第二表面22，第一模組與第二模組堆疊，然後與空腔元件、大尺寸器件水平排佈於主基板第一表面且分別與主基板電性連線。
具體的，整合封裝結構中，主基板第一表面主要設定各類封裝元件，連線整合封裝結構下方的PCB板等器件。透過第一模組與第二模組的至少一次堆疊，來減少整合封裝結構中的兩個或多個模組佔用的面積和空間，同時將高度較高的大尺寸器件及對應力敏感的空腔元件與堆疊後的模組組合水平排布，可合理降低整合封裝結構內部封裝元件組合後的整體高度，使得整合封裝結構整體空間更為緊湊、內部結構更加整合化。
空腔元件的空腔一般朝上設定，在塑封層第一表面41對應空腔元件的位置處開設有開口槽6，且至少部分開口槽在空腔元件的正上方，使其上方的塑封層被挖空，從而減少熱脹冷縮作用下塑封層對空腔元件中空腔的應力作用，避免空腔元件受到不良應力破壞。本例項中開口槽完全位於空腔元件的上方，並與空腔位置對應，即開口槽沿著空腔元件的中軸線對稱分佈，由此，可均勻降低空腔元件受到的應力作用，應力緩解效果最佳；同時開口槽形狀為倒梯形，塑封層塑封形成後，倒梯形的開口槽使得脫模工藝快速方便。
簡而言之，長電科技的整合封裝專利，透過將第一模組和第二模組進行堆疊，可解決目前整合封裝結構需要進一步高密度、小型化、多維化、多需求排佈設計的需求。
隨著晶片不斷向微型化發展，先進的封測技術也成為了未來儲存技術的重要發展方向。長電科技作為中國封測領域的龍頭企業，將在先進封測領域持續突破創新，致力於為客戶提供優質、全面的服務，助力儲存產業發展。
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