科技化合物半導體——GaAs、InP2021-10-08砷化鎵材料半導體氮化碳化矽Ø碳化矽原子束縛能力非常強,禁頻寬度很寬,機械硬度也很高,在20世紀80年代人們逐步掌握了碳化矽晶體的生長技術後,90年代用於藍光發光材料,同時以碳化矽材料為基礎的電力電子器件和微波功率器件也相繼問世...