化合物半導體——GaAs、InP
Ø砷化鎵等材料的電子遷移率差不多是矽材料的6倍。它們的峰值電子速度也是矽飽和速度的2倍多。禁頻寬度和臨界擊穿場強也比矽高，因此是製造高頻電子器件的理想材料。目前砷化鎵是化合物半導體的主流材料，全球砷化鎵高頻電子器件和電路的年產值24億美元。Ø磷化銦器件的電子遷移率高達10000cm2/V﹒s，比砷化鎵還高，所以其高頻效能更好，工作頻率更高，且有更低的噪聲和更高的增益。目前在100GHz左右的3mm波段多數都用磷化銦器件。
Ø碳化矽原子束縛能力非常強，禁頻寬度很寬，機械硬度也很高，在20世紀80年代人們逐步掌握了碳化矽晶體的生長技術後，90年代用於藍光發光材料，同時以碳化矽材料為基礎的電力電子器件和微波功率器件也相繼問世。Ø實驗表明，氮化鎵具有更好的發光效能，因此藍光發光領域內碳化矽已被氮化鎵代替，目前氮化鎵是藍光和白光發光器件的主流材料。同時，人們還發現在微波功率放大領域，氮化鎵的輸出微波功率比砷化鎵和矽高出一個數量級以上。
Ø金剛石具有最大的禁頻寬度、最高的擊穿場強和最大的熱導率，被稱為最終的半導體。此外，極窄帶隙半導體材料，如InAs（0。36eV）等，也被人們廣泛研究。Ø石墨烯與碳奈米管等半導體材料#半導體# #晶片# #科技#
