CASICON 2021前瞻：南京大學電子科學與工程學院陳鵬教授將出席南京功率與射頻半導體應用峰會
Ⅲ族氮化物是典型的寬禁帶半導體材料，GaN電力電子器件已廣泛用於電力電子領域。肖特基勢壘二極體（SBD）是功率轉換系統中的基本元件，當前發展GaN功率SBD的核心問題之一是研製出低開啟電壓、超高耐壓的功率器件。
2021年9月13-14日，由南京大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導，半導體產業網、第三代半導體產業主辦的“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”將在南京城市名人酒店召開。會議圍繞碳化矽、氮化鎵、砷化鎵、氧化鎵、金剛石等材料在電力電子、5G射頻領域的技術進展與創新應用，助推相關領域市場產品國產化替代。
會上，南京大學電子科學與工程學院陳鵬教授受邀將出席本次峰會，並分享“GaN基肖特基功率器件研究新進展”主題報告。屆時，陳鵬教授將分享其課題組近年來透過研究GaN SBD的擊穿機制和器件工藝，研製超高壓/低開起的GaN SBD的有關成果及最新進展。
欲知最新研究進展與成果，敬請關注峰會，也歡迎相關領域專家、學者、行業企事業單位參會交流，共商合作事宜。
【嘉賓簡介】
陳鵬，南京大學電子科學與工程學院教授。2000年12月在南京大學物理系獲理學博士學位，2001年至2007年曆任新加坡科研局材料研究院研究員、首席科學家、新加坡國立大學電機工程系博士生導師。2008年度進入“江蘇省高層次創新創業人才引進計劃”和“333高層次人才培養工程”第二層次，並於2011年獲“333人才工程突出貢獻獎”， 2010年獲“江蘇省有突出貢獻的中青年專家”稱號，2011獲得“中國產學研創新獎個人獎”。
自1995年以來長期從事於三族氮化物半導體材料與器件研究，共發表學術論文180餘篇，其中以第一作者及通訊作者在氮化物光電子學、功率電子、強注入輻射機制等研究領域發表的高水平論文40餘篇，包括Advanced Materials， Advanced Optical Materials， Small， IEEE Electron Device Letters， Applied Physics Letters， IEEE Photonics Journal。
會務組也誠摯歡迎相關領域的專家、學者、行業企事業單位能參會與陳鵬教授多多交流！
更多會議資料請往下檢視：
2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會
2021年9月13-14日 南京·城市名人酒店
【組織機構】
指導單位
南京大學
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
主辦單位
半導體產業網
第三代半導體產業 公號
承辦單位
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
贊助支援單位
【會議安排】
【嘉賓&報告】
（向上滑動啟閱）
1、9月13日報告（陸續更新中）
嘉賓：
陳堂勝——中國電科首席科學家/微波毫米波單片整合和模組電路重點實驗室主任
報告：
低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件
嘉賓：
陳敦軍——南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
報告：
GaN功率開關器件及其高頻電源應用
嘉賓：
劉斯揚——東南大學教授
報告：
SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展
嘉賓：
龍世兵——中國科學技術大學微電子學院執行院長
報告：
低成本高效能氧化鎵功率器件
嘉賓：
Dr Simon Li——Founding director， Crosslight Software Inc and GaNPower Intl。 Inc
報告：
Pushing GaN power devices to the limit - A material and TCAD perspective
嘉賓：
戴小平-株洲中車電氣時代/湖南國芯總經理
報告：
淺析SiC模組封裝技術
嘉賓：
Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理研究員
報告：
1。2-10 kV GaN Power Devices Exceeding SiC Limit
嘉賓：
黃潤華——中電科五十五所副主任設計師
報告：
碳化矽MOSFET技術問題及55所產品開發進展
嘉賓：
龔平——西安唐晶量子科技有限公司董事長
報告：
6 inch GaAs 基 VCSEL 和 射頻外延技術
嘉賓：
張 雲——天津大學電氣自動化與資訊工程學院教授
報告：
新能源汽車電力電子系統及其執行控制
2、9月14日報告（陸續更新中）
嘉賓：
程新紅——中科院上海微系統研究所研究員
報告：
SOI基GaN材料及功率器件整合技術
嘉賓：
鄧小川——電子科技大學教授
報告：
極端應力下碳化矽功率MOSFET的動態可靠性研究
嘉賓：
惠 峰——雲南鍺業公司首席科學家/中科院半導體所研究員
報告：
VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研製及應用
嘉賓：
陳 鵬——南京大學教授
報告：
GaN肖特基功率器件新進展
嘉賓：
Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
報告：
Packaging Enabled Thermal Management of Ga2O3 Devices
嘉賓：
倪煒江——安徽芯塔電子科技有限公司 總經理
報告：
高效能高壓碳化矽功率器件設計與技術
嘉賓：
李 強——西安交通大學副教授
報告：
基於HBN 的射頻器件
嘉賓：
吳 彤——安森美首席SiC 專家
報告：
Adopt of SiC devices in EV applications
嘉賓：
吳 亮——奧趨光電CEO
報告：
高質量AlN/AlScN單晶襯底與薄膜製備技術及其在射頻濾波領域應用前景展望
嘉賓：
張保平——廈門大學電子科學與技術學院 副院長、教授
報告：
氮化鎵基VCSEL技術進展
嘉賓：
蔚 翠——中電科第十三研究所研究員
報告：
金剛石微波功率器件研究
嘉賓：
左 超——愛發科商貿（上海）有限公司電子營業部部長
報告：
量產高效能功率與射頻器件的ULVAC裝備技術
嘉賓：
裴 軼——蘇州能訊高能半導體有限公司技術副總裁
報告：
面向5G移動通訊的氮化鎵射頻功率器件
嘉賓：
王祁玉——益豐電子副總經理
報告：
射頻器件（TBD）
嘉賓：
袁 理——青島聚能創芯微電子有限公司
報告：
面向快充應用的GaN材料和器件技術
嘉賓：
劉 雯——西交利物浦大學副教授
報告：
矽基GaN MIS-HEMT 單片整合技術
嘉賓：
英諾賽科科技股份有限公司
報告：
八英寸矽基氮化鎵技術進展（TBD）
嘉賓：
葉建東——南京大學教授
報告：
氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究
嘉賓：
彭 燕——南砂晶圓研發中心主任，山東大學副教授
報告：
碳化矽與金剛石單晶襯底技術與產業化研究
嘉賓：
葉念慈——三安整合技術市場總監
報告：
（TBD）
嘉賓：
紐應喜——啟迪半導體研發總監
報告：
碳化矽外延裝備及技術進展
嘉賓：
童吉楚——乾照鐳射副總經理
報告：
VCSEL 技術 （TBD）
嘉賓：
向鵬博士——蘇州晶湛半導體有限公司研發經理
報告：
用於新型GaN功率器件的外延技術進展
嘉賓：
楊學林——北京大學物理學院高階工程師
報告：
Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展
嘉賓：
Yuhao Zhang 美國弗吉尼亞理工大學電力電子系統中心助理教授
報告：
Ruggedness of SiC MOSFETs and GaN HEMTs in Overvoltage Switching
嘉賓：
徐尉宗——南京大學研究員
報告：
面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術
嘉賓：
樊嘉傑——復旦大學青年研究員
報告：
SiC功率器件先進封裝材料及可靠性最佳化設計
更多報告嘉賓正在確認中！！！
擬參與單位：
華為、中興、南京大學、三安光電、東南大學、英諾賽科、鍇威特、泰科天潤、基本半導體、捷捷微電、中微公司、蘇州納維、廈門大學、南砂晶圓、瀚天天成、蘇州晶湛、雲南鍺業、Crosslight、英飛凌、GaNPower、安森美、許繼電氣、中車時代、國家電網、中芯整合、華潤微電子、南大光電、AIXTRON、中電科五十五所、中電科十三所 西安電子科技大學、江蘇能華、西安交通大學、北京大學，電子科技大學，河北同光、山東天嶽、天津大學、聚能創芯，賽微電子，南京百識，唐晶量子，天科合達，漢驊半導體，南京百識，大族鐳射，德儀，江蘇三代半研究院等
參會註冊 ：
註冊費 2000 （會議資料，招待晚宴，自助餐）
開戶行：
中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：
336 356 029 261
名 稱：
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
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