晶片生產製造離不開光刻機，尤其是先進製程的晶片，自然就需要更為先進的光刻機。
據悉，臺積電最初是用DUV光刻機生產製造Seven奈米晶片，EUV光刻機出現後，其就用EUV光刻機進行製造，技術更先進。
由於5nm等晶片必須要用到EUV光刻機，所以，三星和臺積電都在爭相購買EUV光刻機。
但EUV光刻機的產能嚴重不足，三星想要更多EUV光刻機，ASML在韓國建設EUV光刻機再製造工廠，以緩解三星缺少EUV光刻機的問題。
在這樣的情況下，很多廠商都想另闢蹊徑，在不用EUV光刻機的情況下生產製造5nm等製程晶片。
畢竟在多層曝光工藝下，臺積電就用DUV光刻機生產製造了Seven奈米晶片。
沒有EUV光刻機也能造5nm晶片？ASML沒想到
近日，日本廠商傳來新訊息，其在不用EUV光刻機的情況下，依舊能夠生產製造5nm等晶片，但與臺積電的多層曝光工藝不同，其採用的是NIL製程技術。
據瞭解，鎧俠與佳能等多家企業聯合研發了4年多的時間，終於在不用EUV光刻機的情況下，將晶片製程推進到5nm。
要知道，鎧俠本身全球晶片製造巨頭，而佳能也是全球四家能夠獨立生產製造光刻機的廠商之一，擁有先進的光源技術。
其推出的NIL製程技術已經用在15nm快閃記憶體晶片上，並計劃在2025年用NIL製程技術生產製造5nm晶片。
最主要的是，採用NIL製程技術生產製造晶片，無論是耗能還是投資都能夠大幅度降低，尤其是一臺EUV光刻機高達1億美元以上，而採用NIL製程技術可節約40%的資金。
在沒有EUV光刻機的情況下，也能夠生產製造5nm製程的晶片，關鍵是省電更省錢，這一答案讓ASML沒想到。
因為ASML的營收和利潤主要都是來自EUV光刻機，而ASML也在盡力提升EUV光刻機的產能，預計在今後兩年生產製造115臺EUV光刻機。
而鎧俠以及佳能等聯合研發的NIL製程技術無疑會影響ASML的EUV光刻機的銷量，尤其是在儲存晶片領域內。
據悉，三星、SK以及美光都計劃採用更多的EUV光刻機生產儲存晶片，將EUV應用層從1提升到5，這意味著每條生產線至少需要1。8臺EUV光刻機。
一旦鎧俠、佳能聯合授權NIL製程技術，必然會影響ASML的EUV光刻機產能，更何況，佳能表示希望將NIL製程技術更廣泛用到儲存晶片生產製造，甚至是CPU晶片等。
鎧俠等聯合研發新技術的目的
據悉，鎧俠等聯合研發NIL製程技術，一方面是因為EUV光刻機產能緊張，很難買到足量的EUV光刻機，另一方面是EUV光刻機的成本太高。
要知道，EUV光刻機不僅是售價高，其使用成本也高，不僅耗電量大，關鍵是還需要維護，而這些工作都需要ASML完成，又進一步增加了使用成本。
最主要的是，美修改晶片規則，導致ASML等晶片企業不能自由出貨，於是，這讓很多企業面對未來有了很多不確定性。
在這樣的情況下，很多國家和企業都在加速發展晶片技術，目的就是在晶片方面脫離美技術，這樣就能不受美規則影響。
就像歐洲幾十個國家聯合投資數百億歐元，計劃在2030年生產衝刺2nm製程晶片，臺積電研發新材料和全新封裝技術，華為全面進入晶片半導體領域內，目的都是如此。
對於鎧俠和佳能聯合推出的NIL製程技術，你們怎麼看，歡迎留言、點贊、分享。
