從大眾在華投資168億研發自動駕駛到佳能擴大光刻機產能
6億人民幣)在日本新建一座半導體裝置工廠,目標將當前半導體裝置產能提高一倍,這是佳能21年來首次擴大光刻機生產線...
6億人民幣)在日本新建一座半導體裝置工廠,目標將當前半導體裝置產能提高一倍,這是佳能21年來首次擴大光刻機生產線...
臺積電也有可能在這個 2nm 工藝中使用 HNS,我預計英特爾不會首先量產 HNS...
NIL比拼EUV由於EUV裝置太過昂貴,且生產難度很高,近些年,業界一直在尋找其它辦法,不用EUV光刻機,能不能生產7nm及以下的晶片...
集微網訊息,據韓媒The Korea Economic Daily Global Edition報道,韓國晶片製造商預計將減少對EUV工藝核心溶劑的進口,因為當地公司已成功大規模生產該材料...
與此同時,為了儘快推進自己的高階晶片製程,同時加緊追趕臺積電和三星,美國巨頭英特爾還先下手為強,找阿斯麥採購了最先進級別的光刻機——EXE:5000,是全球第一家拿到此裝置的公司...
ASML的產品釋出時間規劃(source:semiwiki)來到λ方面,為了降低其數值,如下圖所示,光刻機的光源在過去多年的發展從包括g-line和i-line在內的高壓汞燈開始,歷經KrF和ArF,並在最近幾年進入到了EUV時代...
這便是國產晶片遲遲無法取得較大進步的主要原因,沒有EUV光刻機的支援,就算技術再先進,也無法實現7nm和5nm晶片的量產...
有外媒報道稱,ASML柏林廠生產微影裝置的關鍵零元件,若該公司出貨量因為這起意外減少10%,可能導致全球光刻機的供應減少約8...
NIL比拼EUV由於EUV裝置太過昂貴,且生產難度很高,近些年,業界一直在尋找其它辦法,不用EUV光刻機,能不能生產7nm及以下的晶片...
此次高能同步輻射光源科研裝置和鏡鍍膜裝置的突破將中國在光刻機制造領域的研究程序先前推進了一大步...
而全球光刻機大廠ASML獨家供應的EUV光刻機,則是製造7nm以下先進製程的必備裝置...
在新型EUV出現之前,臺積電幾乎包攬了ASML70%的產能,以至於三星沒有足夠的裝置擴大5nm高精尖晶片的產能,這是臺積電能一直壓制三星的主要原因,可以說,臺積電在代工領域能如此成功,EUV光刻裝置立了大功...
而此次新一代極光刻機(EUV)的組建,很有可能使晶片在摩爾定律的道路上再走十年...
但隨著ASML將資源向對手英特爾傾斜,美國的晶片製造水平必然會水漲船高,而臺積電的市場地位以及影響力,必然會大打折扣...
ASML沒想到近日,日本廠商傳來新訊息,其在不用EUV光刻機的情況下,依舊能夠生產製造5nm等晶片,但與臺積電的多層曝光工藝不同,其採用的是NIL製程技術...
由於只有ASML公司一家企業能夠製造EUV光刻機,致使EUV光刻機非常緊缺,各大晶片製造廠商為了能夠獲得足夠多的EUV光刻機,擴大晶片產能,提升行業內的話語權,紛紛奔赴ASML公司總部洽談採購事宜,如三星電子掌門人李在鎔,為了能夠拿到更多的...
也就是說,臺積電能夠用EUV光刻機生產製造3nm晶片,而ASML實現EUV光刻機自由出貨後,國內廠商技術突破後,也能夠用EUV光刻機量產3nm晶片...
結合臺積電在美國投設的5奈米、3奈米代工廠將在2024年、2025年投用的時間和矽基晶片內建規格的有限性,ASML二代光刻機延遲投產,給美國在晶片代工領域中,趕超臺積電提供了可能...
在近日的IEEE國際半導體會議上,來自全球各地區的晶片專家們經過多次對比測試之後,最終確定並公認:石墨烯為最新的半導體材料,以石墨烯打造的碳基晶片最有希望突破3nm工藝製程的壁壘,以實現摩爾定律的延續...
50臺EUV光刻機,讓臺積電底氣十足由於EUV光刻機是生產製造7nm以下晶片的必要裝置,其還保證了先進製程晶片的產能和良品率...