摘要：對於半導體制造來說，光刻機是極為關鍵的裝置。資料顯示，在先進製程產線當中，光刻機的成本佔比高達22%，同時也在所有制造工序所消耗的時間當中佔據了20%。而全球光刻機大廠ASML獨家供應的EUV光刻機，則是製造7nm以下先進製程的必備裝置。
對於半導體制造來說，光刻機是極為關鍵的裝置。資料顯示，在先進製程產線當中，光刻機的成本佔比高達22%，同時也在所有制造工序所消耗的時間當中佔據了20%。而全球光刻機大廠ASML獨家供應的EUV光刻機，則是製造7nm以下先進製程的必備裝置。
目前 ASML 已經推出第三代 EUV光刻機，分別是 TWINSCAN NXE： 3400B、NXE： 3400C、NXE： 3600D，數值孔徑都為 0。33。理論第三代 EUV光刻機生產的晶片精度最多 2nm左右，一旦進入 2nm節點以下時，還需要更高精準度的光刻機，稱為 High NA（高數值孔徑）EUV 光刻機。
ASML下一代高精準度 EUV光刻機型號為EXE： 5000，數值孔徑為 0。55，可用於2nm節點以下晶片製造，如 1。4nm（14埃米）、 1nm（10 埃米）等製程。
2020 年底有媒體報導，ASML 已基本研發完成了新一代高精準度 EUV 曝光裝置，且正在試產，預計 2022 年就開始商用。日前比利時微電子研究中心（imec）也表示，ASML EXE： 5000 EUV 光刻機將在 2022~2023 年起供貨。不過，2nm以下先進製程節點晶片的量產至少要等到2025年之後。
據 Imec在11月 ITF 大會先進製程節點演進狀況，2025 年開始推出 A14（A14＝1。4 奈米）製程節點、2027 年推出 A10（10＝1 奈米）製程節點、2029 年推出 A7（A7＝0。7 奈米）製程節點。
市場分析師也表示，ASML NXE： 5000 型號 0。55 高數值孔徑 EUV 曝光裝置，預計每套售價高達 3 億美元，是 0。33 孔徑 EUV 光刻裝置兩倍，對半導體制造廠是另一驚人資本支出高峰期，目前僅臺積電、三星、英特爾等三家廠商有能力持續研發先進製程，未來競爭高數值孔徑 EUV 光刻機搶得先機，將是難以避免的戲碼。
編輯：芯智訊-林子
