科學技術是第一生產力，代表光刻機領域技術天花板的ASML，得益於自身在光刻機領域中的“超前”造詣，壟斷了整個EUV光刻機市場。ASML也因EUV光刻機的特殊性、先進性，在光刻機市場中賺得盆滿缽滿。
我是柏柏說科技，資深半導體科技愛好者。本期為大家帶來的是：積壓訂單超1300億元，ASML交付首臺全新EUV極紫外光刻機。ASML不斷釋放對華合作訊號，EUV光刻機是否有望供貨國產半導體。
老規矩，開門見山。2021年7月21日，ASML公佈了自家在2021年第二季度的財報。報表顯示：ASML在2021年4月~2021年6月的淨銷售額達40億歐元，摺合人民幣約為305億元，毛利率為50。9%。淨收入為10億歐元，摺合人民幣約為76億元。
與傳統的機械裝置不同；EUV光刻機制造複雜，包含十萬多個零部件，生產一臺EUV光刻機需要的時間很長。而資訊科技的發展，使得晶片代工領域步入提速階段，為了在晶片市場上多分一杯羹。以三星、臺積電為代表的晶片代工廠商不斷向ASML提交EUV光刻機訂單，這便加重了EUV光刻機供不應求的現狀。
受此影響，ASML在2021年第二季度的光刻機淨預定額為83億歐元，單是EUV極紫外光刻機就佔了49億歐元。而ASML積壓的光刻機訂單總額高達175億歐元，摺合人民幣約為1334億元。也就是說，ASML公司總共積壓了1334億元的光刻機訂單。
值得一提的是：ASML公司在第二財季報表中表示，公司目前交付了一臺全新的、型號為TWIN SCAN NXE：3600D的EUV光刻機，對比二代EUV光刻機，TWIN SCAN NXE：3600D的生產力提高了15~20%，精度提高了30%。但這臺裝置具體賣給了哪一家代工廠，ASML並未過多透露。
在這裡穿插一點，適用於更低晶片製程、擁有更高光源精度的光刻機，即ASML的第二代光刻機NXE：5000。早先計劃在2023年投用，如今卻推遲到2025~2026年。結合臺積電在美國投設的5奈米、3奈米代工廠將在2024年、2025年投用的時間和矽基晶片內建規格的有限性，ASML二代光刻機延遲投產，給美國在晶片代工領域中，趕超臺積電提供了可能。
這是因為美國承諾英特爾，將臺積電在本土建廠的三分之一的晶片產業鏈轉移給英特爾使用。能夠生產2奈米及2奈米以下製程的NXE：5000延期釋出，臺積電要想繼續在晶片代工保持領先，必須生產出2奈米及2奈米以下製程的晶片，在失去ASML光刻機的支援下，只能另謀出路。
儘管臺積電找到了能夠應用在1奈米晶片製程當中的新材料，即把半金屬鉍作為二維材料的接觸電極。但該類材料提煉所需的時間成本、材料成本，並不適用於半導體晶片的大批次生產。
回到ASML的光刻機訂單這裡，除了83億歐元的EUV光刻機訂單外；DUV光刻機的訂單高達92億歐元，佔據ASML總訂單的一半以上。而這大部分訂單，大多都是來自我國晶片代工廠商。
受美國裝置、技術禁令的影響。ASML雖說無法向我國出口能夠生產7奈米及7奈米以下的EUV光刻機，但能夠生產10奈米及10奈米以上製程的DUV光刻機可以出售給我國。例如中芯國際於2021年3月，斥資12億美元向ASML訂購了一批DUV光刻機裝置。除了向我國出口DUV光刻機外，ASML自2020年起，便不斷地向我國發射合作訊號。
特別是在我國首臺28奈米光刻機下線投用後，ASML連忙下調自家DUV光刻機的價格，藉此進一步搶佔我國的光刻機市場。雖說我國對光刻機的需求量很大，但只是作用於高階製程領域。至於中低端光刻機裝置，我國已經實現自給自足的目標。上海微電子的中低端光刻機，佔據了我國中低端光刻機市場的80%。
中低端光刻機裝置的競爭優勢不高，高階光刻機裝置被美國禁止出售，ASML只能夾在中間乾急眼。事實上，有關高階光刻機裝置的出口上，ASML一直向美國申請自主出口權利。例如2021年4月份，ASML執行長官公開指責美國。宣稱美國的做法影響的不僅是ASML公司自身的營收，對中國大陸、美國以至全球半導體行業來說都是一件壞事。
真正讓ASML擔心的，並不是美國禁令對全球半導體行業的不利影響，而是我國在晶片代工領域中的不斷進步。特別是我國在雙工件臺、光刻機光源、光刻機鏡頭的不斷突破，給ASML造成不小的壓力。但不管怎麼說，如果ASML能夠爭取到向我國出口EUV光刻機的資格，對於我們來說是利大於弊。
畢竟EUV光刻機的製程十分複雜，雖說我們在光刻機領域中已經取得了不錯的進展，但想要造出EUV光刻機，還是需要一段較長的時間。
對於“ASML不斷釋放的對華半導體合作訊號”大夥有什麼想說的呢？結合我國的晶片代工現狀，你認為ASML目前能夠交付給我國的光刻機裝置，對我國半導體行業的意義是高是低呢？歡迎在下方留言評論。
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