半導體裝置是生產晶片所必需的，由於晶片製造工藝複雜，且晶片的材料種類繁多，因此需要用上的半導體裝置也不盡相同。大部分的人都知道光刻機是造晶片的，但是造晶片的裝置遠不止這些。
在中國科學家的努力下，再一次實現了國產半導體裝置的突破。這次是怎樣的半導體裝置技術突破呢？實現突破有何意義？
國產半導體裝置傳來破冰好訊息
晶片製造複雜程度遠超一般人想象，一些人只知道晶片製造會用上光刻機，有更多知識積累的人還知道光刻機是用來進行晶片光刻的，而生產高階晶片還會用上13。4nm波長的極紫外EUV光刻機。
可對於整個的晶片製造產業，光刻機雖然十分重要，但只屬於生產線的冰山一角，其餘使用的裝置還會包括離子注入機、清洗機、刻蝕機、顯影機等等。
在不同的生產環節中會用上對應的裝置機器，可以說每一個都是不可或缺的。
不過隨著半導體材料技術的研發探索，現如今已經邁入第三代半導體材料時期，並且實現了運用。
大家熟悉的矽屬於第一代半導體材料，第二代半導體材料有砷化鎵、磷化銦，而到了第三代半導體材料時代，氮化鎵、碳化矽等脫穎而出。第三代的半導體材料一般具有高導熱性，化學效能穩定等特點，常被用於功率半導體，比如充電器。
透過這些不同代數的半導體材料來生產晶片，所用的半導體裝置也不盡相同。第一代矽基晶片的生產必須用上前道光刻機，如ArF、DUV、EUV等類別的光刻機。
而我國科學家已經在第三代半導體材料當中實現了國產半導體裝置的突破，被號稱“第三代半導體光刻機”的碳化矽鐳射剝離裝置成功被攻克，國產半導體也傳來了破冰好訊息。
詳細情況來看，中電科二取得了關鍵技術突破，相關團隊實現小尺寸碳化矽單晶片的鐳射剝離，研製出鐳射垂直鈣質剝離裝置。
這一裝置的優勢非常明顯，透過鐳射剝離可以降低傳統工藝帶來的損耗，提高第三代半導體材料碳化矽的材料利用率。在降低材料損耗的同時，也將生產工藝的速度和效率大大加強，為國產生產線製備碳化矽晶片產品提供優勢條件。
由於是用於第三代半導體材料的剝離切割，因此此次國產突破的鐳射剝離裝置也被視作“第三代光刻機”實現攻克。
論重要性是不亞於傳統光刻機的，當然實際來看先進工藝水準肯定還是和DUV，EUV光刻機存在區別，但對於國產半導體來說，每一次的進步都值得稱讚。
實現碳化矽鐳射剝離裝置突破有何意義？
國外掌握了第一代半導體材料，而中國在第三代半導體材料領域優勢盡顯。有許多相關的半導體企業都聚焦在氮化鎵，碳化矽及氧化子等第三代半導體材料賽道上，實現一個又一個技術突破，專案攻關。就拿此次中電科二的破冰例子來說，其實現突破是有關鍵意義的。
首先讓國產
鐳射剝離裝置積累更多的國產化經驗，
讓國產芯迎來曙光。
在實現自主化突破之前，國內採用的裝置有不少是來自國外的技術產品。若持續保留合作交流，即使用上了國外技術也沒有太大關係，還能促進雙方進步。
可是晶片市場的變化大家都有目共睹，掌握自主技術的重要性無需過度強調了。中電科二實現碳化矽鐳射剝離裝置突破可以讓國內積累更多的國產化經驗，在自主技術體系中降低對國外技術的依存，讓國產芯迎來曙光。
其次
為
第三代半導體材料產業提供生產優勢。
國內許多產業巨頭正基於第三代半導體材料發展創新作業，可以將其廣泛用於新能源汽車，軌道及基站建設等。
縱觀三代的半導體材料應用變化，都能在不同的領域場景發揮出重要作用。經過科學家，研究人員的不斷開發，基本上有了明確的發展方向，所以接下來要做的就是怎樣實現生產普及。
而有了相應的半導體裝置突破之後，無疑能給第三代半導體材料產業提供生產優勢。
綜上所述，國產鐳射剝離裝置實現攻克是有重大意義的，不管是幫助國產化體系積累自主知識經驗，還是助力國產半導體生產第三代半導體材料晶片等等都能發揮出關鍵作用。
寫在最後
中國科學家太給力了，取得了又一大進步突破，放眼國內半導體產業，已經在加速人才培養，產業進步。
各大省份，高校之間也都拿出有關措施，加大對半導體產業的付出，按照這樣的趨勢來看，事先定下的70%晶片自給率目標並非無法完成，國產新的曙光也要來了。但還是需要更多的國產廠商一起努力，共創未來，面向高精尖的半導體產業持續攻克難關，完成所定目標的突破。
對此，你們怎麼看呢？歡迎留言和轉發。
