國產晶片關鍵裝置投用
對於國內的晶片產業來說，最缺的不是技術，而是各種精密的半導體裝置。因為國產晶片之所以在製造方面存在較為明顯的短板，就是因為缺少相關裝置的支援，而目前那些高階裝置的生產技術，基本上都掌握在西方發達國家手裡。
就比如說光刻機這項困擾了國內幾十年的難題，雖然上海微電子已經能夠造出28nm精度的光刻機了，並且預計明年年初就能正式投入使用，但是這個水平也才剛剛追上荷蘭ASML的DUV光刻機，距離最頂尖的EUV光刻機還有很大的差距。
ASML是全球知名的半導體廠商，也是世界公認的第一大光刻機巨頭，由它生產出來的EUV光刻機，在高階晶片市場佔有不可替代的重要地位。我們國內也曾想過從ASML進口EUV光刻機，但礙於美國的影響，ASML並不能自由出貨，所以時至今日國內連一臺EUV光刻機都沒有。
這便是國產晶片遲遲無法取得較大進步的主要原因，沒有EUV光刻機的支援，就算技術再先進，也無法實現7nm和5nm晶片的量產。為此，從去年下半年開始，國內就加強了對半導體裝置研發工作的重視力度，希望能夠儘快解決國產晶片的短板問題。
而就在近期，經過長時間的努力和無數科研人員的奮鬥後，國內終於迎來了好訊息。6月28日，據央視報道稱，國內首臺高能同步輻射光源科研裝置，正式進入了安裝階段，而且為其提供技術支援的光源平臺也開始展開試執行，二者正在共同進步。
可能很多人都不明白這種裝置和技術到底有什麼作用，也不清楚這些專業名詞究竟是什麼意思？但其實名稱並不重要，重要的是它們的實際功能，高能同步輻射光源是國內重點建設的基礎科研專案，由發改委立項，中科院高能物理研究所承建。
這項裝置建好並安裝完成後，將成為國內首臺高能量輻射光源、全球亮度最高的第四代光源之一，為很多重要的科研領域提供了最基本的技術支撐。其中就包括大家關注的EUV光刻機，有了高能同步輻射光源後，EUV光刻機的光源技術就有了保障。
而且為了提高光源的精度和質量，中科院還專門配套研究了一個真空鍍膜裝置，可以將光學鍍膜的厚度降低到0。1nm以內。也就是說，中科院的光學鍍膜水平已經達到了世界前列，再加上第四代輻射光源的支援，國內要不了多久就能全面攻克EUV光刻機。
有望攻克EUV光刻機難題
相信大家還記得，ASML總裁曾口出狂言：就算ASML開放圖紙，其它公司或國家也造不出EUV光刻機。這番話不僅顯示出了ASML對自身實力的自信，還從側面證明了EUV光刻機的難度之高，不然現如今也不會只有ASML一家公司，具備生產EUV光刻機的能力。
但是就目前來講，ASML很快就會面臨“打臉”，因為我們國內已經開始發力，EUV光刻機的難題並不是無法攻克。一臺光刻機，主要包括三個核心零部件，分別是工作臺、光學鏡頭和光源技術，而國內在這三個方面都取得了明顯的進展。
上述的高能同步輻射光源，指的就是光學鏡頭，而之前清華大學也曾傳出突破EUV光源技術的好訊息。至於工作臺，國內的華大九天等半導體公司，同樣有深入的研究。只要將它們的成果整合到一起，EUV光刻機的自主化生產就沒有之前那麼困難了。
寫在最後
綜上所述，如今國產晶片的發展狀態已經變得越來越好，無論是核心技術還是關鍵裝置，國產半導體公司都能完成突破。相信接下來隨著國內更加完善的佈局，國產晶片一定能夠打破國外的封鎖，實現真正的崛起！
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