近日，半導體領域一下傳來兩個好訊息
，首先中科院物理研究院國內第一臺高能同步輻射光源裝置問世
。與此同時，國內自主研發的
鏡鍍膜裝置也
結束了實驗階段，開始正式應用於生產。
可能大家不太瞭解這些技術會給中國帶來怎樣的影響，提到一個詞，可能大家就會漸漸明白這些技術所蘊含的價值了，
這個詞就是“光刻機”。
沒錯上面所提到的技術都是製造光刻機能應用到的重要技術，事關光刻機的2個關鍵部件。
提起光刻機，相信近些年來大家不會覺得陌生，雖然它離我們的生活很遠，但總是能夠在媒體上看見它的身影。光
刻機可以說是現代科技的巔峰，世界各國頂級科學技術融匯而成的結晶。
最重要的是，它是晶片製造行業不可缺失的裝置。
此次高能同步輻射光源科研裝置和鏡鍍膜裝置的突破將中國在光刻機制造領域的研究程序先前推進了一大步。
尤其是中科科儀研發的兩款鏡鍍膜裝置，更是在這一領域首次達到了世界較為的領先水平。在這一領域，最關鍵的技術
一是鍍膜手法，二是鍍膜厚度
。目前中科科儀的所生產並投入使用的這兩款鏡鍍膜裝置，採用的真空鍍膜的手法，並
且在在膜厚精度上已經達到了0.1nm（100皮米）
。這對於中國來說是一個不小的進步，預示著中國離國產光刻機的到來又近了一步，也預示著中國能在不久的將來擺脫老美的晶片制裁。
因為當臺積電在老美的威逼利誘下，停止了對華為的晶片代工後，
包括麒麟、天罡、鯤鵬在內的華為自主研發晶片供應就被徹底切斷了
。不僅華為，國內的大部分手機廠商的晶片製造都離不開臺積電的代工。目前在7nm以下的晶片製造方面，大陸的裝置和技術還遠遠落後於臺積電。
因此國內7nm以下的晶片主要來源於臺積電以及國外晶片製造企業的代工。
然而，
強如臺積電也不能在晶片製造過程中實現真正的獨立自主
，在一些核心的技術和裝置上臺積電也避免不了對於國外供應的依賴，這其中就用光刻機的供應。
要製造出7nm以下的頂級晶片，必須用到頂級的EUV光刻機。
目前，EUV光刻機的製造被荷蘭的ASML公司所壟斷。
然而即使是ASML公司也不能憑藉一己之力完成對於EUV光刻機的製造，一臺EUV的製造需要十幾個國家的技術支援和幾千家工廠的零件代工。因此，EUV光刻機也絕不是ASML自己的技術。
此次國內高能同步輻射光裝置的成功研發，縮短了我國與EUV光刻機的距離。
高能同步輻射光源，是目前世界範圍內製程光源領域最先進的技術之一，可以滿足晶片製程過程中對於光源的需求，這一技術的不斷成熟，也為後期我國自主研發光刻機提供了堅實的基礎。
國內投入使用的兩款鏡鍍膜裝置，使我國在光學鍍膜領域向前邁進了一大步，其採用的真空鍍膜技術將精準度控制在了0.1nm之內。
光學鍍膜就是指透過一定的工藝，在儀器的感光元件上鍍上數層介質薄膜。目前在EUV光刻機的鏡頭製造方面，對這一工藝的要求是低於50皮米，這樣看來，中國距離實現這一尖端技術已經越來越近了，相信在不久的將來，我國能在這一領域實現更大的突破。
中科科儀和中科院物理院的技術突破，將我國的光刻機研發程序向前推進了一大步，也讓我們看到了國產光刻機到來的希望。事實上，除了中科科儀，國內目前眾多企業開始投身於光刻機的研發事業。這些企業在不同領域，一項一項地攻克著光刻機制造的種種難關。此前，華為就為海思團隊在武漢建造了一座晶片工廠，往後的幾年間，海思團隊將在這裡進行晶片製造領域的研究，這其中就包含光刻機的研發與製造。
越來越多的國內企業投入到晶片行業的發展當中以後，這場針對老美技術封鎖展開的鬥爭已經從華為的單打獨鬥，變成了所有企業的共同事業，如今我國在晶片領域的進步速度令全世界為之震撼，老美想要透過技術封鎖限制中國科技發展的目的徹底落空了。
